俄罗斯独立的EUV光刻技术发行了，它颤抖着处理以下10纳米。俄罗斯计划在2036年到达10纳米以下的半导体制造工艺冲刺。最近，俄罗斯科学院的微观结构物理学研究所已发布了家庭极限紫外线（EUV）造影设备的长期发展路线图，并具有通过不同路径的岩性设备技术的目的垄断。路线图的工作时间为11.2纳米，预计将从2026年逐渐发展，到2037年的发病率少于10纳米。EUV光刻技术目前由荷兰ASML公司领导，其13.5-AneterwaveLength设备成为高级工艺的13.5-Anoreter WaveLength设备，例如7 nananemeters and Inlower and Inlower。俄罗斯的路线图选择了一个完全独立的技术系统，使用混合固态激光器和Xenon等离子体Light来源，以及由唯一和铍制成的反射器。这种特殊的材料可以有效地反映出11.2纳米的强烈紫外线。该技术的选择旨在解决ASML设备解决碎屑问题并降低设备维护成本。同时，与深紫外线（DUV）光刻设备相比，该解决方案不必依靠高浸入和许多模式测量，理论上简化了劳动过程并降低了技术阈值。整个研发计划分为三个阶段。第一阶段（2026-2028）ISIT开发了40纳米级设备，配备了双镜头目标系统，达到10纳米级的范围精确度，曝光场尺寸可以达到3×3 mm，并且吞吐量的设计超过每小时5英尺。第二阶段（2029-2032）升级到四个镜像光学系统，重点是28纳米工艺（长期目标14纳米米），动机的准确性提高到5纳米，曝光场扩大到26×0.5 mm，槽量增加了每小时50件以上。最后阶段（2033-2036）针对以下10纳米的过程，并通过六个玻璃调节实现了2纳米雕刻的准确性，并且曝光场进一步扩展到26×2 mm，吞吐量超过每小时超过100件，每小时超过每小时的商业设备。根据研发团队的计算，该系统可以支持9纳米中65纳米的分辨率，可以满足不同关键层的不同关键层的制造需求，并且该单元的单位结构明显低于Twinscan NXE和ASML的Twinscan Cancan NXE和EXE平台。但是，这个雄心勃勃的路线图仍然面临许多挑战。首先，选择11.2纳米长度纳米纳米需要重建完整的支持系统，从特殊的光电师镜头抛光工具到光学DETection设备，所有这些都需要从一开始就形成。其次，俄罗斯目前仅在最高能级生产350纳米光刻的机器，其世代间隙具有超精确的功能K，可用于EUV设备。路线图清楚地指出，该设备并不是针对超大晶圆厂所需的高容量，而是针对小型铸造厂的经济需求，并试图吸引未包括ASML生态系统中的国际客户。但是，从2026年到2028年，将需要使用第一个设备，并且尚未披露关键组件的原型研究和开发的开发，从而为技术变化留下了紧张的时间。此外，路线图专门指出，设备“即使在可能的情况下也不能用于商业目的”，从而使工业化的前景更加复杂。俄罗斯独立的EUV光刻技术已发布，这是正在摇动以下10纳米以下。